1 电子科技大学 信息与通信工程学院, 成都 610000
2 电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都 610000
提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明，通过调整PMTSCR器件的结构参数，相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR)，PMTSCR器件的触发电压由63 V下降到44 V，触发电压减少30%，同时器件的ESD漏电流保持不变。
静电放点 可控硅整流器 触发电压 electrostatic discharge SCR trigger voltage
华南师范大学信息光电子科技学院 广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室, 广东 广州 510006
轨道角动量是光子的量子态，具有轨道角动量的光束在光通信等领域中得到了广泛的应用，是目前国内外研究的热点方向之一，特别是轨道角动量可作为自由空间量子信息物理载体的重要选择，这将对量子通信领域带来重要的影响。介绍了光子轨道角动量的定义、产生，简要列举当前的相位、偏振编码经典的两类量子密码通信方案以作对照，以提出的光子轨道角动量密码通信方案为例，着重介绍了光子轨道角动量在量子通信中的应用研究及展望。
量子光学 量子通信 量子态 轨道角动量 拉盖尔高斯模 厄米高斯模 激光与光电子学进展
2012, 49(8): 080003
华南师范大学 信息光电子科技学院， 光子信息技术广东普通高校重点实验室， 广州 510006
提出一种新的不间断的主动相位补偿方案，在进行量子密钥分发的同时统计不匹配基量子比特在干涉仪不同输出端口上的随机计数分布，给出了由不匹配基量子比特统计数值计算相位漂移参数的计算公式,并由统计数值计算得到相位漂移参数。结果表明：该方案允许系统并行处理量子密钥分发与相位补偿，也充分利用了在原BB84协议中会被丢弃的不匹配基量子比特信息。
量子密钥分发 主动相位补偿 不匹配基 不间断式 quantum key distribution active phase compensation incompatible basis uninterrupted scheme
Author Affiliations
Abstract
1 Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China
2 Lab of Photonic Information Technology, School for Information and Optoelectronic Science and Engineering, South China Normal University, Guangzhou 510631, China
We examine the saturation of relative current gain of In0.53Ga0.47As/InP single photon avalanche diodes (SPADs) operated in Geiger mode. The punch-through voltage and breakdown voltage of the SPADs can be measured using a simple and accurate method. The analysis method is temperature-independent and can be applied to most SPADs.
单光子雪崩二极管 盖革模式 雪崩击穿电压 040.1345 Avalanche photodiodes (APDs) 040.3060 Infrared 040.5160 Photodetectors 040.5570 Quantum detectors Chinese Optics Letters
2011, 9(1): 010402
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术实验室，广州 510631
对物理随机码发生器的物理参量与其产生的随机码序列的随机性关系进行了分析．根据量子保密通信对随机码序列的随机性的要求，分析了常见的随机码发生器产生的随机码的随机性，给出了利用随机高斯噪音经比较器产生随机码的随机码发生器的随机性公式．
量子保密通信 真随机码 信息熵 相关系数 Quantum cryptography systems True random number Correlation coefficient Entropy
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术实验室，广州 510631
介绍了在高于253K的温度下，实现红外单光子探测的实验．选用拉通电压较高的雪崩光电二极管(APD)，设计制作了非线性限流技术保护高温工作的APD，利用半导体热电制冷器，在256．8K的温度下，实现了1550nm波段的单光子探测实验．单光子探测的暗记数率为3．13×10－5ns，在220kHz／s的单光子脉冲速率下，探测效率为2．08%．
应用光学 红外单光子探测 暗计数 热电制冷 Applied optics Infrared single photon detectors Dark counting Peltier-cooler
1 华南理工大学物理科学与技术学院，广州 510640
2 华南师范大学信息光电子科技学院，广州 510631
3 华南理工大学光通信材料研究所，广州 510640
4 暨南大学应用化学系，广州 510632
遴先出了具有200℃高耐热性的硅树脂，根据185nm到104nm波段的透射谱，发现材料在300nm到3000nm范围内无吸收峰．用Manificier方法，推算出了600nm到1600nm波段上的光学常量，650nm和1550nm波长的折射率分别为1．513和1．498(温度为26℃时)；对薄膜进行紫外曝光后，相应的折射率减小到1．512和1．489．用激光－V棱镜装置检测出该材料无偏振特性，根据薄膜材料的表面形貌图均方高差和传输损耗分析，波导散射损耗约为0．5dB／cm．研究结果表明，这种硅树脂可用于制作光通信系统中的波导器件，特别是塑料光纤通信网络中的波导器件．
硅树脂 高耐热性 散射损耗 偏振特性 波导器件 Silicone resin High heat-resistant Scattering loss Waveguide devices
1 华南师范大学物理与电信工程学院，广州 510631
2 华南师范大学信息光电子科技学院，广州 510631
考虑强衰减激光脉冲技术实现的准单光子源和量子信道损耗以及窃听者Eve窃听能力有限等实际情况，提出了一种窃听装置；同时对扩展BB84协议的各种窃听做了全面分析，计算得出发送者Alice／窃听者Eve所获得的交互信息量和发送者Alice／接收者Bob所能容忍的误码率上限，以此作为检测量子信道安全性的标准，同时得出Breidbart基／分束攻击相结合的方法是比截取／重发更为有效的窃听方案．
量子密码 交互信息量 误码率 Quantum cryptography Mutual information Error rate
Author Affiliations
Abstract
1 School for Information and Opto-Electronic Science and Engineering, South China Normal University, Guangzhou 510631
2 Department of Applied Physics, South China University of Technology, Guangzhou 510641
3 College of Applied Physics, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510090
Dark-current-voltage curves and photon-current-voltage curves were measured by a passive quenched circuit so that the voltage applied to the avalanche photodiode can be much higher than breakdown voltage in study on the depth of punch through. The photo-current-voltage curve indicated clearly the punch-through voltage while the dark current-voltage curve is insensitive to the punch through. Furthermore, the avalanches initiated by the photo-generated carrier at a voltage lower than that from the thermo-generated carriers and explained based on the different distribution of the carriers.
040.5570 Quantum detectors 040.3060 Infrared 040.3780 Low light level 040.5160 Photodetectors 230.5170 Photodiodes 270.5290 Photon statistics Chinese Optics Letters
2005, 3(0s): 62
Author Affiliations
Abstract
1 School for Information and Opto-Electronic Science and Engineering, South China Normal University, Guangzhou 510631
2 Department of Applied Physics, South China University of Technology, Guangzhou,510641
3 College of Applied Physics, Guangdong University of Technolody, Guangzhou 510090
The passively quenched operation of avalanche photodiode (APD) has been used to characterizing InGaAs/InP APD including punch through voltage, avalanche voltage and break down voltage that are all important in the design of APD for single photon detection. The punch through voltage at certain doping level can be related to the thickness of the InP multiplication layer and the thickness of the un-intentionally doped n-type InP layer can be adjusted in according to the experimental data. The analysis indicates that the punch through voltage should be close to the breakdown voltage that can be realized by adjusting the thickness of InP multiplication layer.
040.3060 Infrared 040.3780 Low light level 040.5570 Quantum detectors 160.1890 Detector materials 230.5160 Photodetectors 270.5570 Quantum detectors Chinese Optics Letters
2005, 3(0s): 31
